Главная      Пресса      СМИ о программе      Научный коллектив Московского государственного института электронной техники разработал новый метод получения нанопористого оксида алюминия, который позволяет создавать целый ряд самых современных материалов для полупроводниковых приборов.
Пресс-релизы
СМИ о программе
События

Научный коллектив Московского государственного института электронной техники разработал новый метод получения нанопористого оксида алюминия, который позволяет создавать целый ряд самых современных материалов для полупроводниковых приборов.

Научный коллектив Московского государственного института электронной техники разработал новый метод получения нанопористого оксида алюминия, который позволяет создавать целый ряд самых современных материалов для полупроводниковых приборов, в частности, фотонные кристаллы.

В настоящее время полупроводниковые приборы микроэлектроники создаются, главным образом, методом оптической литографии, который достаточно дорог и имеет ряд физических и технологических ограничений.

Новый метод основан на нанопрофилировании полупроводников путем их плазменного травления с использованием твердой маски пористого анодного оксида алюминия.

 

Источник: http://www.nanonewsnet.ru/news/2011/rossiiskie-uchenye-sozdali-novyi-metod-polucheniya-nanoporistogo-oksida-alyuminiya




КОНЦЕПЦИЯ  |  Программа  |  Документы  |  Конкурсы  |  Гранты-Конкурсы  |  Гранты-Победители  |  FAQ  |  Пресс-центр  |  Контакты  |  Карта сайта